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AGR19060EF

廠家：
  TriQuint Semiconductor
封裝：
 19060EF
數量：
 3294  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor
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AGR19060EF PDF參數資料

中文參數如下：

產品類型：RF MOSFET Power
功率耗散：175 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
封裝形式：19060EF
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：12 W
增益：15.5 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：TriQuint

以上是AGR19060EF的詳細信息，包括AGR19060EF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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