色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD

廠家：: onsemi
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 4860
說(shuō)明：: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

一、本商品被瀏覽0次.

AFGY100T65SPD PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：105 ns
測(cè)試條件：400V，100A，5 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：36ns/78ns
柵極電荷：109 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：5.1mJ（開(kāi)），2.7mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：660 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，100A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：120 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：管件
品牌：onsemi

以上是AFGY100T65SPD的詳細(xì)信息，包括AFGY100T65SPD廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：