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2SK879-GR(TE85L,F)

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 USM
數(shù)量：
 7124  
說明：
 JFET N-CH USM
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2SK879-GR(TE85L,F)-USM圖片

2SK879-GR(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：USM
封裝/外殼：SC-70，SOT-323
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：125°C（TJ）
功率 - 最大值：100 mW
電阻 - RDS(On)：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：8.2pF @ 10V
不同 Id 時(shí)電壓 - 截止 (VGS off)：400 mV @ 100 nA
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)電流 - 漏極 (Idss)：2.6 mA @ 10 V
漏源電壓（Vdss）：-
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：-
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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