色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > 2SK2782(TE16L1,Q)

2SK2782(TE16L1,Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: DP
數(shù)量：: 7884
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch 60V 20A Rdson 0.055 Ohm

一、本商品被瀏覽0次.

2SK2782(TE16L1,Q) PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：40 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
封裝形式：DP
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2782(TE16L1,Q)的詳細(xì)信息，包括2SK2782(TE16L1,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ