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中文參數如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 歐姆 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：400pF @ 20V
功率 - 最大：10W
安裝類型：表面貼裝

以上是2SJ058200L的詳細信息，包括2SJ058200L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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