色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 達林頓晶體管 > 2SB1682(Q)

2SB1682(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3
數量：: 837
說明：: 達林頓晶體管 PNP 160V 2A Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

2SB1682(Q) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
直流集電極/Base Gain hfe Min：500
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
最大集電極截止電流：10 uA
最大直流電集電極電流：8 A
集電極—基極電壓 VCBO：160 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：達林頓晶體管
制造商：Toshiba

以上是2SB1682(Q)的詳細信息，包括2SB1682(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊