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2SB1216T-E

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TP
數(shù)量：: 6660
說明：: 兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V

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2SB1216T-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：130MHz
功率 - 最大值：1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：4 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是2SB1216T-E的詳細(xì)信息，包括2SB1216T-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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