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2SB1182TLQ

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: CPT3
數量：: 9998
說明：: 兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q

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2SB1182TLQ PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：10 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V
電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：800mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：32 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2 A
晶體管類型：PNP
產品狀態：不適用于新設計
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是2SB1182TLQ的詳細信息，包括2SB1182TLQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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