色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2SA2121-R(Q)

2SA2121-R(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3PL
數量：: 630
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 15A

一、本商品被瀏覽0次.

2SA2121-R(Q) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：100
包裝形式：Bulk
最大功率耗散：220000 mW
封裝形式：TO-3PL
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：55 at 1 A at 5 V
增益帶寬產品fT：25 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：200 V
集電極—基極電壓 VCBO：200 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA2121-R(Q)的詳細信息，包括2SA2121-R(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：