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2SA2012-TD-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 PCP
數(shù)量:
 5238  
說明:
 兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 30V
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2SA2012-TD-E-PCP圖片

2SA2012-TD-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-243AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:420MHz
功率 - 最大值:3.5 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):210mV @ 30mA,1.5A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):30 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

以上是2SA2012-TD-E的詳細(xì)信息,包括2SA2012-TD-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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