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2SA1179N6-TB-E

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 3-CP
數量:
 3888  
說明:
 兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.15A 50V
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2SA1179N6-TB-E-3-CP圖片

2SA1179N6-TB-E PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:180MHz
功率 - 最大值:200 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):135 @ 1mA,6V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 5mA,50mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150 mA
晶體管類型:PNP
產品狀態:停產
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是2SA1179N6-TB-E的詳細信息,包括2SA1179N6-TB-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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