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2SA1145-O(TE6,F,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: LSTM
數量：: 16332
說明：: 兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A

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2SA1145-O(TE6,F,M) PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：800 mW
直流電流增益 hFE 最大值：240
集電極連續電流：- 50 mA
封裝形式：LSTM
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
增益帶寬產品fT：200 MHz
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：- 150 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 150 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 150 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1145-O(TE6,F,M)的詳細信息，包括2SA1145-O(TE6,F,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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