點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
最大功率耗散：900 mW
直流電流增益 hFE 最大值：240
集電極連續(xù)電流：- 2 A
封裝形式：TO-92 MOD
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：70
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：- 50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 50 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1020-Y(TE6,F,M)的詳細(xì)信息，包括2SA1020-Y(TE6,F,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

PUMH7H-QX

PUMD6H-QX

PUMB3H-QF

PUMH7H-QF

PUMB3H-QX

DCX114EU-13R-F

NSVBC124EPDXV6T1G

RN1907,LXHF(CT

SMUN5313DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G