色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<input id="ay8ka"></input>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > 2N6661-E3

2N6661-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-39
數量：: 585
說明：: MOSFET 90V 0.9A

一、本商品被瀏覽0次.

2N6661-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：100
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-205AD
安裝風格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4 Ohms
漏極連續電流：0.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：90 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N6661-E3的詳細信息，包括2N6661-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1