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2N5962_D26Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數量:
 2088  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5962_D26Z-TO-92圖片

2N5962_D26Z PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:2000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:450 at 10 uA at 5 V
最大直流電集電極電流:0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:45 V
集電極—基極電壓 VCBO:45 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5962_D26Z的詳細信息,包括2N5962_D26Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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