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2N5401_D75Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數量:
 7839  
說明:
 兩極晶體管 - BJT
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2N5401_D75Z-TO-92圖片

2N5401_D75Z PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Ammo Pack
最大功率耗散:625 mW
直流電流增益 hFE 最大值:30 at 1 mA at 5 V
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
增益帶寬產品fT:400 MHz
最大直流電集電極電流:0.6 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:150 V
集電極—基極電壓 VCBO:160 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5401_D75Z的詳細信息,包括2N5401_D75Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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