色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2N5210TAR

2N5210TAR

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3 Kinked Lead
數(shù)量：: 27
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被瀏覽0次.

2N5210TAR PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流電流增益 hFE 最大值：600
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200
增益帶寬產(chǎn)品fT：30 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5210TAR的詳細(xì)信息，包括2N5210TAR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：