色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2N4123_D75Z

2N4123_D75Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數量：: 6039
說明：: 兩極晶體管 - BJT

一、本商品被瀏覽0次.

2N4123_D75Z PDF參數資料

中文參數如下：

最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流電流增益 hFE 最大值：50 at 2 mA at 1 V
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：40 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N4123_D75Z的詳細信息，包括2N4123_D75Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：