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2N3799

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 
數(shù)量:
 6837  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Low Noise Ampl
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2N3799 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2000
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:360 mW
封裝形式:TO-18
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:15
增益帶寬產(chǎn)品fT:80 MHz
最大直流電集電極電流:0.05 A
集電極—射極飽和電壓:60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:過渡期間
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

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