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2N3250

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-18
數量：: 6123
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS

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2N3250 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：360 mW
封裝形式：TO-18
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
增益帶寬產品fT：250 MHz
最大直流電集電極電流：0.2 A
集電極—射極飽和電壓：40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N3250的詳細信息，包括2N3250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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