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2N3019

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 
數量:
 6945  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS
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2N3019-圖片

2N3019 PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
安裝類型:通孔
工作溫度:175°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:800 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V
電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):80 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1 A
晶體管類型:NPN
產品狀態:停產
包裝:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是2N3019的詳細信息,包括2N3019廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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