色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<rt id="iwio8"></rt>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 2DD1664Q-13

2DD1664Q-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-89-3
數量：: 2124
說明：: 兩極晶體管 - BJT 1000W 32Vceo

一、本商品被瀏覽0次.

2DD1664Q-13 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-243AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：280MHz
功率 - 最大值：1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，3V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：32 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：NPN
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Diodes Incorporated

以上是2DD1664Q-13的詳細信息，包括2DD1664Q-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：