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2DB1132R-13

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 SOT-89-3
數量:
 4243  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 1000W -32Vceo
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2DB1132R-13-SOT-89-3圖片

2DB1132R-13 PDF參數資料

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中文參數如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-243AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:190MHz
功率 - 最大值:1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V
電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 50mA,500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):32 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1 A
晶體管類型:PNP
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:Diodes Incorporated

以上是2DB1132R-13的詳細信息,包括2DB1132R-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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