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1SS187,LF

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: S-Mini
數(shù)量：: 1845
說(shuō)明：: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

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1SS187,LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：S-Mini
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：500 nA @ 80 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：4 ns
速度：小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 100 mA
電流 - 平均整流 (Io)：100mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：80 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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