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18N20F

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: TO-220F
數(shù)量：: 7611
說明：: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3

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18N20F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：836 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.7 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 9A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：200 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Goford Semiconductor

以上是18N20F的詳細(xì)信息，包括18N20F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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