| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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PTFB182503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，零件號別名：FB182503ELV1R25XT PTFB182503ELV1R250，... | ||||||
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PTFB182503ELV1XWSA1 | Infineon Technologies | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，零件號別名：FB182503ELV1XP PTFB182503ELV1，... | ||||||
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PTFB182503FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB182503FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：19 dB，輸出... | ||||||
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PTFB182503FL V2 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... | ||||||
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PTFB182503FL V2 R250 | Infineon Technologies | H-34288-4/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：19 dB，輸出功率：50 W... | ||||||
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PTFB183404E V1 | Infineon Technologies | H-36275-8 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，輸出功率：125 W，... | ||||||
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PTFB183404E V1 R250 | Infineon Technologies | H-36275-8 | 射頻MOSFET電源晶體管 LD9 340W 1805-1880MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，輸出功率：125 W，... | ||||||
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PTFB183404F V1 | Infineon Technologies | H-37275-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB183404F V1 R250 | Infineon Technologies | H-37275-6/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，輸出功率... | ||||||
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PTFB183404F V2 | Infineon Technologies | H-37275-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：2.6 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB183404F V2 R250 | Infineon Technologies | H-37275-6/2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz，增益：17 dB，輸出功率：125 W，... | ||||||
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PTFB191501E V1 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB191501E V1 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB191501F V1 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB191501F V1 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB192503EL V1 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.9 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB192503EL V1 R250 | Infineon Technologies | H-33288-6 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.9 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB192503FL V1 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.9 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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PTFB192503FL V1 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.9 A，閘/源擊穿電壓：10... | ||||||
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