| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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FP20R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 17 | IGBT 模塊 N-CH 600V 27A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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FP20R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Module | 10 | IGBT 模塊 | |
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25... | ||||||
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FP15R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 PIM Econo2B 1200V, 15A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FP15R12NT3 | Infineon Technologies | EUPEC | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP15R12W1T3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續... | ||||||
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FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP15R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 20 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在... | ||||||
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FP15R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模塊 N-CH 600V 22A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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FP15R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模塊 N-CH 600V 22A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續集... | ||||||
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FP15R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Module | IGBT 模塊 IGBT 600V 15A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集電極—發射極最大電壓 VCEO：60... | ||||||
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FP15R12KE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 17 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 27A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP40R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 4 | IGBT 模塊 1200V 40A PIM | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO... | ||||||
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FP40R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | 4 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP40R12KT3G | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 55A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP35R12KS4CG | Infineon Technologies | EconoPIM3 | IGBT 模塊 1200V 35A PIM | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集電極—發射極最大電壓 ... | ||||||
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FP35R12KT4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP35R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續集電極電... | ||||||
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FP35R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 35A | |||
| 參數：制造商：Infineon，... | ||||||
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