| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
BG 5412K E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶體管極性：N-Channel，汲極/源... |
|
BG 3123R E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
BG 3130 E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 3130R E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
|
|
BG 3123 E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-363 |
|
射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET小信號(hào)晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
