| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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CLY2 |
TriQuint Semiconductor
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MW-6 |
779 |
射頻GaAs晶體管 GaAs LN MMIC |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：HEMT，頻率：1.8 GHz，增益：14.5 dB，漏源電壓 VDS：9 V，閘/源擊穿電壓：- 6 V，漏... |
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CLY5 |
TriQuint Semiconductor
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SOT-223 |
901 |
射頻GaAs晶體管 GaAs Power MMIC |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：HEMT，頻率：1.8 GHz，增益：9.5 dB，噪聲系數(shù)：1.72 dB，漏源電壓 VDS：9 V，閘/源... |
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VMMK-1218-BLKG |
Avago Technologies
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402 |
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射頻GaAs晶體管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
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| 參數(shù)：Broadcom Limited|帶|-|停產(chǎn)|E-pHEMT|-|10GHz|9dB|3 V|100mA|0.81dB|20 mA|12dBm|5 V|-|0... |
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VMMK-1218-TR1G |
Avago Technologies
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402 |
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射頻GaAs晶體管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
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| 參數(shù)：Broadcom Limited|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|E-pHEMT|-|10GHz|9dB|3 V|100mA|0.81dB|20 mA|12dBm|5 ... |
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VMMK-1225-BLKG |
Avago Technologies
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402 |
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射頻GaAs晶體管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
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| 參數(shù)：Broadcom Limited|帶|-|停產(chǎn)|E-pHEMT|-|12GHz|11dB|2 V|50mA|1dB|20 mA|8dBm|5 V|-|0402（... |
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VMMK-1225-TR1G |
Avago Technologies
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402 |
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射頻GaAs晶體管 LNA FET in Microcap DC-18GHz |
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| 參數(shù)：Broadcom Limited|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|E-pHEMT|-|12GHz|11dB|2 V|5... |
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T1G6001528-Q3 |
TriQuint Semiconductor
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EAR99 |
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射頻GaAs晶體管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：HEMT，頻率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源電壓 VDS：28 V，閘/源擊穿電壓：- 3.7 V，... |
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T1G6001528-Q3-EVB1 |
TriQuint Semiconductor
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EAR99 |
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射頻GaAs晶體管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：HEMT，頻率：6 GHz，增益：11.5 dB，漏源電壓 VDS：28 V，閘/源擊穿電壓：- 3.7 V，... |
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T1G6003028 |
TriQuint Semiconductor
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射頻GaAs晶體管 DC-6GHz 30Watt 28Volt GaN |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，包裝形式：Tray，... |
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T1G4003532-FL |
TriQuint Semiconductor
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射頻GaAs晶體管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，包裝形式：Tray，... |
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T1G4003532-FS |
TriQuint Semiconductor
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射頻GaAs晶體管 DC-3.5GHz 35Watt 32Volt GaN |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，包裝形式：Tray，... |
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T1P2701012-SP 12V |
TriQuint Semiconductor
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139 |
射頻GaAs晶體管 .5-3GHz 10W 12Volts pHEMT |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：500 MHz to 3 GHz，增益：10 dB，正向跨導 ... |
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TGF1350-SCC |
TriQuint Semiconductor
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SMD/SMT |
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射頻GaAs晶體管 DC-18.0GHz 0.3mm MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：HEMT，頻率：18 GHz，增益：7 dB，噪聲系數(shù)：2.5 dB，正向跨導 ... |
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TGF2021-01 |
TriQuint Semiconductor
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4-Pin-Die |
50 |
射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-02 |
TriQuint Semiconductor
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4-Pin-Die |
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射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 2mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-04 |
TriQuint Semiconductor
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8-Pin-Die |
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射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 4mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小... |
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TGF2021-12 |
TriQuint Semiconductor
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18-Pin-Die |
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射頻GaAs晶體管 DC-12GHz 12mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小... |
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TGF2022-06 |
TriQuint Semiconductor
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2-Pin-Die |
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射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 0.6mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小值... |
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TGF2022-12 |
TriQuint Semiconductor
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4-Pin-Die |
100 |
射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：450 mS，漏源電壓 ... |
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TGF2022-24 |
TriQuint Semiconductor
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8-Pin-Die |
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射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 參數(shù)：制造商：TriQuint，RoHS：是，技術類型：pHEMT，頻率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：900 mS，漏源電壓 ... |
