| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FMG1G75US60L | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶體管 600V/75A/Module | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
|
FMG2G100US60_Q | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA-7 | IGBT 晶體管 600V/100A/2 | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.2... | ||||||
|
FMG2G150US120 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 | |||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FMG2G300US60E_Q | Fairchild Semiconductor | 7PM-HA-7 | IGBT 晶體管 Molding Type Module | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，... | ||||||
|
|
FMG2G50US120 | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶體管 1200V 50A IGBT Module | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3 ... | ||||||
|
|
FMG2G75US120 | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶體管 1200V 75A IGBT Module | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3 ... | ||||||
|
FNB41560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模塊（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶體管 Motion SPM | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和... | ||||||
|
FNA40560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模塊（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶體管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和... | ||||||
|
|
FNA40860 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模塊（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶體管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和... | ||||||
|
|
FNA41560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模塊（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶體管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和... | ||||||
|
|
FP25R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | IGBT 晶體管 1200V 25A PIM | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.2 ... | ||||||
|
FP15R12KE3G | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | 5 | IGBT 晶體管 1200V 15A PIM | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：1.7 ... | ||||||
|
|
FP15R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | 4 | IGBT 晶體管 1200V 15A PIM | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.2 ... | ||||||
|
|
FP40R12KE3G | Infineon Technologies | EconoPIM3-24 | IGBT 晶體管 1200V 40A PIM | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：2.3 ... | ||||||
|
|
FP50R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM3-24 | IGBT 晶體管 1200V 50A PIM | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Hex，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.2 ... | ||||||
|
FPAB30BH60B | Fairchild Semiconductor | 27-PowerDIP 模塊（1.205"，30.60mm） | IGBT 晶體管 SPM for Front-End Rectifier;Motion-SPM | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，在25 C的連續... | ||||||
|
|
FPAL10SH60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 600V/10A/SPM/HIGH | |||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FPAL15SH60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 600V/15A/IPM | |||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FPAL15SL60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 600V/15A/SPM | |||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FPAL15SM60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶體管 600V/15A/ | |||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
9/212 首頁 上頁 [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] 下頁 尾頁
