| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SGU2N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGU2N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGU6N60UFTU | Fairchild Semiconductor | IPAK-3 | IGBT 晶體管 6A/600V | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW10N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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SGW10N60A | Infineon Technologies | TO-247-3 | 197 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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SGW10N60RUFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 600V/10A/W/FRD | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGW10N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 600V/10A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW13N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGW13N60UFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW15N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW15N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 259 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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SGW15N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 600V/15A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW20N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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SGW20N60HS | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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SGW20N60RUFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 600V/ 20A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW23N60UFDTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 600V/ 12A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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SGW23N60UFTM | Fairchild Semiconductor | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 600V/12A | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW25N120 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 388 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW25N120E8161 | Infineon Technologies | TO-247-3 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+... | ||||||
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SGW30N60 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 196 | IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... | ||||||
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