| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
935133427710-T3N |
IPDiA
|
1206 |
95 |
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 1206 1uF BD 11V |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：1 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：0.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C，... |
|
|
935133429733-T1N |
IPDiA
|
1812 |
100 |
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ... |
|
|
935133429733-T3N |
IPDiA
|
1812 |
|
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 3.3uF 1812 BV11 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：3.3 uF，容差：15 %，電壓額定值：11 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 ... |
|
935133723510-T1N |
IPDiA
|
0201 |
100 |
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250... |
|
|
935133723510-T3N |
IPDiA
|
0201 |
|
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 10nF 0201 BV30 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250... |
|
|
935133724547-T1N |
IPDiA
|
0402 |
100 |
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25... |
|
|
935133724547-T3N |
IPDiA
|
0402 |
|
硅電容器 XremeTemp SiliconCap 47nF 0402 BV30 NiAu |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.047 uF，容差：15 %，電壓額定值：30 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 25... |
|
935142620510-T1O |
IPDiA
|
0303 |
99 |
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C... |
|
|
935142620510-T3A |
IPDiA
|
0303 |
99 |
硅電容器 WireBoundSiliconCap 0303 10nF BD 50V |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：25 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C... |
|
|
935142620510-T3O |
IPDiA
|
0303 |
|
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 C... |
|
|
935142624522-T3A |
IPDiA
|
0504 |
99 |
硅電容器 WireBoundSiliconCap 0504 22nF BD 50V |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.022 uF，容差：15 %，電壓額定值：25 V，溫度系數(shù)：1 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 150 ... |
|
|
935144620510-T1O |
IPDiA
|
0303 |
|
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200... |
|
|
935144620510-T3O |
IPDiA
|
0303 |
1000 |
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：1.5 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 200... |
|
|
935145620510-T1O |
IPDiA
|
0303 |
100 |
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：2 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C... |
|
|
935145620510-T3O |
IPDiA
|
0303 |
|
硅電容器 WireBoundSiliconCap 10nF 0303 BV50 Au |
|
| 參數(shù)：制造商：IPDiA，RoHS：是，電容：0.01 uF，容差：15 %，電壓額定值：50 V，溫度系數(shù)：2 %，工作溫度范圍：- 55 C to + 250 C... |
