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圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看93512442Y733-T1A參考圖片 93512442Y733-T1A IPDiA 1616 99 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:3.3 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 200 C,...
93512442Y733-T3A IPDiA 1616 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:3.3 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 200 C,...
93512542F610-T1A IPDiA 0404 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.1 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 ...
93512542F610-T3A IPDiA 0404 90 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0404 100nF BD11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.1 uF,容差:15 %,電壓額定值:12 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 ...
點擊查看93512542H622-T1A參考圖片 93512542H622-T1A IPDiA 0505 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.22 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250...
93512542H622-T3A IPDiA 0505 100 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 0505 220nF BD11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.22 uF,容差:15 %,電壓額定值:12 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250...
點擊查看93512542S710-T1A參考圖片 93512542S710-T1A IPDiA 1208 75 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:1 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 C,...
點擊查看93512542S710-T3A參考圖片 93512542S710-T3A IPDiA 1208 89 硅電容器 WirebondXtremSilicon Cap 1208 1uF BD 11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:1 uF,容差:15 %,電壓額定值:12 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 C,...
點擊查看93512542Y733-T1A參考圖片 93512542Y733-T1A IPDiA 1616 100 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:3.3 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 ...
點擊查看93512542Y733-T3A參考圖片 93512542Y733-T3A IPDiA 1616 硅電容器 LoProfile SiliconCap 3.3uF 1616 BV11 Al
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:3.3 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:1.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 250 ...
點擊查看935131423510-T1N參考圖片 935131423510-T1N IPDiA 0201 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 10nF 0201 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.01 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150...
點擊查看935131423510-T3N參考圖片 935131423510-T3N IPDiA 0201 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0201 10nF BD 11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.01 uF,容差:15 %,電壓額定值:5 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T1N參考圖片 935131424310-T1N IPDiA 0402 200 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:100 pF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T3A參考圖片 935131424310-T3A IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 Al
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:100 pF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424310-T3N參考圖片 935131424310-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 100pF 0402 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:100 pF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424347-T1N參考圖片 935131424347-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:470 pF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424347-T3N參考圖片 935131424347-T3N IPDiA 0402 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 470pF 0402 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:470 pF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
935131424410-T3N IPDiA 0402 976 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 1nF BD 11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:1000 pF,容差:15 %,電壓額定值:5 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424510-T3N參考圖片 935131424510-T3N IPDiA 0402 1869 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 0402 10nF BD 11V
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.01 uF,容差:15 %,電壓額定值:5 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 150 ...
點擊查看935131424522-T1N參考圖片 935131424522-T1N IPDiA 0402 100 硅電容器 HiStabiltySiliconCap 22nF 0402 BV11 NiAu
參數:制造商:IPDiA,RoHS:是,電容:0.022 uF,容差:15 %,電壓額定值:11 V,溫度系數:0.5 %,工作溫度范圍:- 55 C to + 15...

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