| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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TISP8210MDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR -150mA High Hold current | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP8211MDR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR +20mA High Hold current | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP8250DR-S | Bourns | 8-SOIC | SCR PROTECTOR - GATED UNIDIRECTIONAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：250 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：5 uA，保持電流（Ih 最大值）：180 m... | ||||||
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TISP83121D | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：否，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：100 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.01 mA... | ||||||
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TISP83121DR | Bourns | SO-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：否，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：100 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.01 mA... | ||||||
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TISP83121DR-S | Bourns | 8-SOIC | 10,000 | SCR Dual Gate Unidirectional | |
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：100 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.001 m... | ||||||
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TISP83121D-S | Bourns | SO-8 | SCR Dual Gate Unidirectional | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：100 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.001 m... | ||||||
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TISP9110LDM | Bourns | SO-8 | SCR OVER VOLTAGE PROT | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，RoHS：否，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，保持電流（Ih... | ||||||
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TISP9110LDMR-S | Bourns | 8-SOIC | 24,640 | SCR Dual Polarity SLIC | |
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 m... | ||||||
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TISP9110LDMS | Bourns | SOIC-8 | SCR OverVolt Protector | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：9 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM ... | ||||||
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TISP61060DR | Bourns | SOIC-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，RoHS：否，封裝形式：SOIC-8，最大工作溫度：+ 85 C，最小工作溫度：- 40 C，工廠(chǎng)包裝數(shù)量：2500，... | ||||||
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TISP61060DR-S | Bourns | SO-8 | SCR SURGE SUP 8-SOP | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，RoHS：是，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：100 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）：0.005 mA，安裝風(fēng)格：SM... | ||||||
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TISP61060P | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：否，封裝形式：PDIP-8，最大工作溫度：+ 85 C，最小工作溫度：- 40 C，工廠(chǎng)包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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TISP61060P-S | Bourns | PDIP-8 | SCR | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，安裝風(fēng)格：Through Hole，封裝形式：PDIP-8，最大工作溫度：+ 85 C，最小工作溫度：- ... | ||||||
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TISP61089AD | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：否，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089ADR | Bourns | SOIC-8 | 29 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：過(guò)渡期間，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 V... | ||||||
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TISP61089ADR-S | Bourns | 8-SOIC | 2,500 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | |
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089AD-S | Bourns | SOIC-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089AP | Bourns | PDIP-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：否，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM... | ||||||
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TISP61089AP-S | Bourns | PDIP-8 | SCR Dual P Gate Forward Conducting | ||
| 參數(shù)：制造商：Bourns，產(chǎn)品種類(lèi)：SCR，RoHS：是，最大轉(zhuǎn)折電流 IBO：11 A，額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM：120 V，關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM... | ||||||
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