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CEL

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California Eastern Laboratories (CEL) is the exclusive sales and marketing partner in North America and Latin America for products made by the Compound Semiconductor Devices Business Division (CSDBD) of Renesas Electronics Corporation, formerly NEC Electronics Corporation. These products include RF components and RFICs, optocouplers, solid state relays, and lasers and detectors for fiber optics. CEL maintains extensive inventories, sets pricing, and provides engineering and applications support at its design center in Santa Clara, CA. CEL also develops its MeshConnect™ line of IEEE 802.15.4/ZigBee radio modules and transceiver ICs and is a member of the ZigBee Alliance (www.zigbee.org)
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看NESG260234-AZ參考圖片 NESG260234-AZ CEL 174 射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:2.8 V,集電極連續電流:600 mA,功率耗散:1.9 W,安裝風格...
NESG260234-EV09 CEL 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,包裝形式:Box,...
NESG260234-EVPW04 CEL 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,...
NESG260234-EVPW04-A CEL 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Medium Power Transistor Eval Board
參數:制造商:CEL,...
點擊查看NESG260234-T1-AZ參考圖片 NESG260234-T1-AZ CEL 3-PowerMiniMold 射頻硅鍺晶體管 NPN Med Power Amp
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:2.8 V,集電極連續電流:600 mA,功率耗散:1.9 W,安裝風格...
NESG270034-AZ CEL 245 射頻硅鍺晶體管 NPN Medium Output
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:2.8 V,集電極連續電流:750 mA,功率耗散:1.9 W,安裝風格...
點擊查看NESG270034-EV09-AZ參考圖片 NESG270034-EV09-AZ CEL 射頻硅鍺晶體管 For NESG270034-AZ
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:2.8 V,集電極連續電流:750 mA,功率耗散:1.9 W,安裝風格...
點擊查看NESG270034-T1-AZ參考圖片 NESG270034-T1-AZ CEL 3-PowerMiniMold 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicon Med Pwr Transistor
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,封裝形式:Power Mini-Mold,包裝形式:Tape,最大工作溫度:+ 150 C,最小工作溫度...
NESG303100G CEL 射頻硅鍺晶體管 2.4GHz to 5.8GHz OSC GERMANIUM HBT
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,包裝形式:Bulk,...
NESG3031M05 CEL M05 射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG3031M05-A
參數:制造商:CEL,RoHS:否,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,工廠包裝數量:50,...
點擊查看NESG3031M05-A參考圖片 NESG3031M05-A CEL SOT-343 114 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
點擊查看NESG3031M05-EVNF16參考圖片 NESG3031M05-EVNF16 CEL M05 射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 1.6 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,...
NESG3031M05-EVNF24 CEL M05 射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 2.4 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,...
點擊查看NESG3031M05-EVNF58參考圖片 NESG3031M05-EVNF58 CEL M05 射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,...
NESG3031M05-EVNF58-A CEL 射頻硅鍺晶體管 For NESG3031M05-A Noise Fig at 5.8 GHz
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,...
NESG3031M05-T1-A CEL M05 405 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:150 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M05,包裝形式:Reel,工廠包裝數量:3...
NESG3031M14-A CEL SOT-343 54 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:175 mW,安裝風格...
NESG3031M14-T3-A CEL M14 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,功率耗散:150 mW,安裝風格:SMD/SMT,封裝形式:M14,包裝形式:Reel,工廠包裝數量:1...
NESG3032M14-A CEL 25 射頻硅鍺晶體管 NPN Germanium Amp & Oscillator
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:是,發射極 - 基極電壓 VEBO:1.5 V,集電極連續電流:35 mA,功率耗散:150 mW,安裝風格...
NESG3032M14-EVNF24 CEL 射頻硅鍺晶體管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
參數:制造商:CEL,產品種類:射頻硅鍺晶體管,RoHS:否,包裝形式:Box,...

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