Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4431BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.5A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 57,867 | MOSFET 30V (D-S) 7.5A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431CDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 3 | MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 30,270 | MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.8 A，電... | ||||||
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SI4431DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 7.0 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：5.3 A，電... | ||||||
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SI4431ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4431ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 7A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4420DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4433DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 3.9A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.9 A，電阻... | ||||||
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SI4433DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 3.9A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：2.9 A，電阻... | ||||||
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SI4433DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20 Volt 3.9 Amp 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4434DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 30 | MOSFET 250V 3.0A 0.155Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4434DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 460 | MOSFET 250V 3.0A 3.1W 155mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI4435BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 9.1A 1.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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