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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
SI4884DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 12A 2.95W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4886DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 13A 2.95W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4886DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 13A 2.95W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:13 A,電阻...
SI4886DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 13A 2.95W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:13 A,電阻...
點(diǎn)擊查看SI4886DY-T1-E3參考圖片 SI4886DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 13A 2.95W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4886DY-T1-GE3參考圖片 SI4886DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 13A 2.95W 10mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4888DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 16A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:16 A,電阻...
SI4888DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 16A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4888DY-T1參考圖片 SI4888DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 16A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4888DY-T1-E3參考圖片 SI4888DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 16A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4888DY-T1-GE3參考圖片 SI4888DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 16A 3.5W 7.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4890BDY-T1-E3參考圖片 SI4890BDY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4890BDY-T1-GE3參考圖片 SI4890BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4890DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4890DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續(xù)電流:11 A,電阻...
SI4890DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續(xù)電流:11 A,電阻...
點(diǎn)擊查看SI4890DY-T1-E3參考圖片 SI4890DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 11A 2.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4890DY-T1-GE3參考圖片 SI4890DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4892DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 12.4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8.8 A,電...
SI4892DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 12.4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8.8 A,電...

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