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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關(guān)和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看SI4850EY-T1-GE3參考圖片 SI4850EY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 60V 8.5A 3.3W 22mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4852DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4852DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8.7 A,電...
SI4852DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8.7 A,電...
SI4852DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4854DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 6.9A 2W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續(xù)電流:5.1 A,電...
SI4854DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 6.9A 2W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續(xù)電流:5.1 A,電...
SI4854DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.0W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI4856ADY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 15A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4858DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 20A
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:13 A,電阻...
SI4858DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 20A
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:13 A,電阻...
SI4858DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 20A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4858DY-T1-E3參考圖片 SI4858DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4858DY-T1-GE3參考圖片 SI4858DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4860DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 30V 16A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:11 A,電阻...
點擊查看SI4860DY-T1-E3參考圖片 SI4860DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 16A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4860DY-T1-GE3參考圖片 SI4860DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 16A 3.5W 8.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4862DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 16V 25A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:16 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻汲...
SI4862DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 16V 25A 3.5W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:16 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:17 A,電阻汲...
SI4862DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 16V 25A 1.6W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:16 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...

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