Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFR1N60ATRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 3,011 | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60ATRRPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR210 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 14,780 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 6,000 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 10,990 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 3,821 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 2,826 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TR | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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