Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD06N10-225L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 100V 6.5A 20W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD06N10-225L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 6.5A 20W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD08P06-155L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 8.4A 25W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD10P06-280L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 10A 37W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD10P06-280L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 10A 37W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD15N06-90L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 15A 37W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD15N06-90L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 15A 37W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD15N15-95 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 150V 15A 62W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD15N15-95-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 12,174 | MOSFET 150V 15A 62W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD15P01-52-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 8.0V 15A 21.4W 52mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續... | ||||||
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SUD17N25-165-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET N-CH 250V 17A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD19N20-90 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 200V 17.5A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD19N20-90-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 200V 17.5A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD19N20-90-T4-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET N-CH 200V 19A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD19P06-60-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 4,090 | MOSFET 60V 19A 38.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 96,117 | MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD19P06-60L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 60V 19A 46W 60mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD23N06-31-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD23N06-31L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 23A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD23N06-31L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252AA | MOSFET 60V 23A 100W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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