Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRLI630G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 1,000 | MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI640G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLI640GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 5,740 | MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLIZ14G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLIZ14GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 876 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLIZ34G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLIZ34GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,981 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLIZ44GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 1,864 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLL014 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLL014PBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLL014TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLL014TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 25,625 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLL110 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLL110PBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLL110TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLL110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR014 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR014PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 3,355 | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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IRLR014TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏極... | ||||||
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