色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

購物車0種商品
IC郵購網(wǎng)-IC電子元件采購商城

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看SIR770DP-T1-GE3參考圖片 SIR770DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:8 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.01...
SiR774DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix - MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR788DP-T1-GE3參考圖片 SIR788DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:2.5 V,漏極連續(xù)電...
SiR798DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR800DP-T1-GE3參考圖片 SIR800DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:50 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0...
點擊查看SIR802DP-T1-GE3參考圖片 SIR802DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:12 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR804DP-T1-GE3參考圖片 SIR804DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:60 A,電...
點擊查看SIR808DP-T1-GE3參考圖片 SIR808DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR812DP-T1-GE3參考圖片 SIR812DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:60 A,電阻汲極/源極...
點擊查看SiR818DP-T1-GE3參考圖片 SiR818DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR826ADP-T1-GE3參考圖片 SIR826ADP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 80V 5.5mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR826DP-T1-GE3參考圖片 SIR826DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 17,846 MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR836DP-T1-GE3參考圖片 SIR836DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIR838DP-T1-GE3參考圖片 SIR838DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 150V 35A 96W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,包裝形式:Reel,...
點擊查看SIR840DP-T1-GE3參考圖片 SIR840DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Reel,零件號別名:SIR840DP-GE3,...
點擊查看SIR844DP-T1-GE3參考圖片 SIR844DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR846ADP-T1-GE3參考圖片 SIR846ADP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,漏極連續(xù)電流:60 A,電阻汲極/源...
點擊查看SIR846DP-T1-GE3參考圖片 SIR846DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIR850DP-T1-GE3參考圖片 SIR850DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR864DP-T1-GE3參考圖片 SIR864DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 v,漏極連續(xù)電流:40 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0...

162/219 首頁 上頁 [157] [158] [159] [160] [161] [162] [163] [164] [165] [166] [167] 下頁 尾頁 

IC電子元件查詢
IC郵購網(wǎng)電子元件品質(zhì)保障

主站蜘蛛池模板: 沙湾县| 新营市| 太白县| 鄂温| 大城县| 靖江市| 五大连池市| 陕西省| 宿迁市| 乌审旗| 桐庐县| 德清县| 昔阳县| 桑日县| 韶山市| 衡南县| 八宿县| 大悟县| 东方市| 遵化市| 卢龙县| 司法| 无极县| 淮安市| 桦川县| 开江县| 平南县| 蓬溪县| 甘肃省| 惠州市| 信宜市| 原平市| 牙克石市| 花莲市| 吉木乃县| 德令哈市| 肇源县| 乐山市| 万荣县| 敦化市| 资中县|