Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7923DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 1,424 | MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7923DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 39,630 | MOSFET 30V 6.4A 2.8W 47mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7925DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 6.5A 1.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7925DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7938DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7940DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 12V 11.8A 0.017Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7940DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7941DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 9.0A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7941DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 9.0A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7942DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 100V N-CH | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7942DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 100V N-CH | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7942DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7945DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL P-CH 30V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7945DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual P-Ch 30V 20mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7946DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7946DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 150V 3.3A 3.5W 150mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7948DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | 920 | MOSFET 60V 4.6A 0.075Ohm | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7948DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch 60V 75mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7949DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL P-CH 60V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7949DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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