Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7898DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 9,000 | MOSFET 20V 8.5A 1.5W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7900AEDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7901EDN-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK 1212-8 | MOSFET 20V 6.3A 1.3W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7901EDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7901EDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 6.3A 2.8W 48mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI7904BDN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7904BDN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7904DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V N-CH | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7904DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 7.7A 2.8W 30mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7905DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7905DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7909DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7909DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 12V 7.7A 2.8W 37mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7911DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7911DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | MOSFET 20V 5.7A 2.5W 51mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7913DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 2,876 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7913DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 3,000 | MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7922DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 2,990 | MOSFET DUAL N-CH 100V (D-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7922DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 雙 | 38 | MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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