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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SI7872DP-T1-GE3參考圖片 SI7872DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V, +...
點(diǎn)擊查看SI7880ADP-T1-E3參考圖片 SI7880ADP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 6,000 MOSFET 30V 40A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7880ADP-T1-GE3參考圖片 SI7880ADP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 40A 83W 3.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7882DP-T1參考圖片 SI7882DP-T1 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 12V 22A 1.9W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI7882DP-T1-E3參考圖片 SI7882DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI7882DP-T1-GE3參考圖片 SI7882DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SI7884BDP-T1-E3參考圖片 SI7884BDP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 58A 46W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7884BDP-T1-GE3參考圖片 SI7884BDP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI7884DP-T1 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 40V 20A 5.2W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7884DP-T1-E3參考圖片 SI7884DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 40V 20A 5.2W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7886ADP-T1-E3參考圖片 SI7886ADP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7886ADP-T1-GE3參考圖片 SI7886ADP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.0mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7888DP-T1-E3參考圖片 SI7888DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7888DP-T1-GE3參考圖片 SI7888DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 15.7A 5.0W 12mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI7892ADP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7892BDP-T1-E3參考圖片 SI7892BDP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 6,000 MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7892BDP-T1-GE3參考圖片 SI7892BDP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 1,581 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI7894ADP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 30V 25A 1.9W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI7894ADP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7898DP-T1-E3參考圖片 SI7898DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...

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