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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SI7457DP-T1-E3參考圖片 SI7457DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7457DP-T1-GE3參考圖片 SI7457DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7459DP-T1-E3參考圖片 SI7459DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7459DP-T1-GE3參考圖片 SI7459DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7460DP-T1-E3參考圖片 SI7460DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7460DP-T1-GE3參考圖片 SI7460DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 60V 18A 5.4W 9.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI7461DP-T1 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8 MOSFET 60V 14.4A 1.9W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7461DP-T1-E3參考圖片 SI7461DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7461DP-T1-GE3參考圖片 SI7461DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7462DP-T1-E3參考圖片 SI7462DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7462DP-T1-GE3參考圖片 SI7462DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7463DP-T1-E3參考圖片 SI7463DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7463DP-T1-GE3參考圖片 SI7463DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7464DP-T1-E3參考圖片 SI7464DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7464DP-T1-GE3參考圖片 SI7464DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI7465DP-T1-E3參考圖片 SI7465DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 56,763 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7465DP-T1-GE3參考圖片 SI7465DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 6,244 MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7469DP-T1-E3參考圖片 SI7469DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7469DP-T1-GE3參考圖片 SI7469DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI7476DP-T1-E3參考圖片 SI7476DP-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 25A 5.4W 5.3mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...

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