Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7425DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 12.6A 3.6W 16mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7425DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 12V 12.6A 3.6W 16mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7430DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7430DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7431DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 3.8A 5.4W 174mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7431DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 200V 3.8A 5.4W 174mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7434DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7434DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 15,000 | MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7439DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7439DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7440DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 21A 5.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7440DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 21A 5.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7440DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 21A 5.4W 6.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7444DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 23.6A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7444DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7445DP-T1 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 20V 19A 5.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7445DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 19A 5.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7445DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7446BDP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 1.9W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7446BDP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 19A 4.8W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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