Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
IXTH102N20T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：102 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH102N25T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
|
|
IXTH10N100D | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：10 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH10P50 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 11 A... | ||||||
|
|
IXTH10P50P | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：10 A，電... | ||||||
|
|
IXTH10P60 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 10 A... | ||||||
|
|
IXTH110N25T | Ixys | TO-247-3 | 1,140 | MOSFET 110 Amps 250V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：110 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH11P50 | Ixys | TO-247-3 | 2,263 | MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：- 11 A... | ||||||
|
|
IXTH120N15T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
|
|
IXTH120P065T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 65 V，閘/源擊穿電壓：15 V，漏極連續(xù)電流：- 120 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTH12N100 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH12N100L | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH12N100Q | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：1 KV，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：1050 mOhms，配置：Single，... | ||||||
|
|
IXTH12N120 | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH12N90 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTH130N10T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：130 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
|
|
IXTH130N15T | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Bulk，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
|
|
IXTH130N20T | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 130Amps 200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
|
IXTH13N110 | Ixys | TO-247（IXTH） | MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：13 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTH13N80 | Ixys | TO-247-3 | 162 | MOSFET 13 Amps 800V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：13 A，電阻汲... | ||||||
73/128 首頁 上頁 [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] 下頁 尾頁
