Ixys
|
IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXKP13N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 13 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6.5 A，電阻... | ||||||
|
IXKP20N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 20 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXKP20N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 20 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7.6 A，電阻... | ||||||
|
|
IXKP24N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 24 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：24 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXKP24N60C5M | Ixys | TO-220-3 整包 | MOSFET 24 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：8.5 A，電阻... | ||||||
|
|
IXKP35N60C5 | Ixys | TO-220-3 | MOSFET 35 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：35 A，電阻汲... | ||||||
|
IXKR25N80C | Ixys | TO-247-3 | MOSFET 25 Amps 800V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXKR40N60C | Ixys | TO-247-3 | 30 | MOSFET 40 Amps 600V | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：38 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXKR47N60C5 | Ixys | TO-247-3 | 37 | MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
|
IXKT70N60C5 | Ixys | MOSFET 70 Amps 600V | |||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
|
|
IXKU5-505MINIPACK2 | Ixys | - | MOSFET MiniPack 2 | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，... | ||||||
|
IXT-1-1N100S1 | Ixys | - | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：94，... | ||||||
|
IXTA05N100 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.75 A，... | ||||||
|
|
IXTA08N100D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXTA08N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.8 A，電... | ||||||
|
|
IXTA08N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 93 | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.8 A，電... | ||||||
|
|
IXTA08N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
|
|
IXTA100N04T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 100 Amps 40V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
|
|
IXTA102N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：102 A，電阻... | ||||||
|
|
IXTA10N60P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：10 A，電阻汲... | ||||||
64/128 首頁(yè) 上頁(yè) [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] 下頁(yè) 尾頁(yè)
