Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IXFR9N80Q | Ixys | ISOPLUS247? | MOSFET 9 Amps 800V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Box，工廠包裝數量：1，... | ||||||
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IXFT10N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：10 A，電阻... | ||||||
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IXFT120N15P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：120 A，電阻... | ||||||
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IXFT12N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12 A，電阻... | ||||||
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IXFT12N100F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12 A，電阻... | ||||||
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IXFT12N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 12 Amps 1000V | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12 A，電阻... | ||||||
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IXFT12N50F | Ixys | TO-268 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲... | ||||||
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IXFT12N90Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：12 A，電阻汲... | ||||||
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IXFT13N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 1KV 12.5A | ||
| 參數：制造商：IXYS，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IXFT13N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：13 A，電阻汲... | ||||||
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IXFT140N10P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | 34 | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：140 A，電阻... | ||||||
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IXFT14N100 | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：14 A，電阻... | ||||||
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IXFT14N80P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，漏極連續電流：14 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.7 Ohms，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：TO-268，包裝... | ||||||
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IXFT15N100 | Ixys | TO-268 | MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：15 A，電阻... | ||||||
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IXFT15N100Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：15 A，電阻... | ||||||
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IXFT15N100Q3 | Ixys | TO-268AA | 20 | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：15 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXFT15N80Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 15 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：15 A，電阻汲... | ||||||
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IXFT16N120P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | 382 | MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds | |
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續電流：16 A，電阻... | ||||||
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IXFT16N80P | Ixys | TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA | MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續電流：16 A，電阻汲... | ||||||
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IXFT16N90Q | Ixys | TO-268AA | MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds | ||
| 參數：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：900 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：16 A，電阻汲... | ||||||
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